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品牌 | 中图仪器 | 产地 | 国产 |
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加工定制 | 否 |
WD4000无图晶圆几何量测系统自动测量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三维形貌 、单层膜厚 、多层膜厚 。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等参数, 同时生成 Mapping 图; 采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像, 显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图, 高效分析表面形貌 、粗糙度及相关 3D 参数; 基于白光干涉图的 光谱分析仪, 通过数值七点相移算法计算, 达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度, 实现膜厚测量功能; 红外传感器发出的探测光在 Wafer不同表面反射并形成干涉, 由此计算出两表面间的距离(即厚度), 可 适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度 。该传感器可用于测量不同材料的厚度, 包括碳化硅 、蓝宝石 、氮化镓 、硅等。
WD4000无图晶圆几何量测系统可广泛应用于衬底制造 、 晶圆制造 、及封装工艺检测 、3C 电子玻璃 屏及其精密配件、光学加工 、显示面板 、MEMS 器件等超精密加工行业 。可测各类包括从光滑到粗糙 、低 反射率到高反射率的物体表面, 从纳米到微米级别工件的厚度 、粗糙度 、平整度 、微观几何轮廓 、曲率等, 提供依据 SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT 四大国内外标准共计 300 余种 2D 、3D 参数作为评价标准。
1、非接触厚度 、三维维纳形貌一体测量
集成厚度测量模组和三维形貌 、粗糙度测量模组, 使用一台机器便可完成厚度 、TTV 、LTV、
BOW 、 WARP 、粗糙度 、及三维形貌的测量。
2、高精度厚度测量技术
采用高分辨率光谱共焦对射技术对 Wafer 进行高效扫描 。
搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘, 晶圆规格最大可支持至 12 寸 。
采 用 Mapping 跟随技术, 可编程包含多点 、 线 、 面的自动测量 。
3、高精度三维形貌测量技术
采用光学白光干涉技术 、精密 Z 向扫描模块和高精度 3D 重建算法,Z 向分辨率高可到 0. 1nm;
隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声, 获得高测量重复性 。
机器视觉技术检测图像 Mark 点, 虚拟夹具摆正样品, 可对多点形貌进行自动化连续测量 。
4、大行程高速龙门结构平台
大行程龙门结构 (400x400 x75mm), 移动速度 500mm/s。
高精度花岗岩基座和横梁, 整体结构稳定 、 可靠 。
关键运动机构采用高精度直线导轨导引 、AC 伺服直驱电机驱动, 搭配分辨率 0. 1μm 的光栅
系统, 保证设备的高精度 、 高效率 。
5、操作简单 、轻松无忧
集 成 XYZ 三个方向位移调整功能的操纵手柄, 可快速完成载物台平移 、 Z 向聚焦等测量前
准工作。
具备双重防撞设计, 避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况 。
具备电动物镜切换功能, 让观察变得快速和简单 。
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量,将晶圆上下面的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV),有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像,用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片,细磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次测量数据计算重复性为0.046987nm,测量稳定性良好。
恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。
型号 | WD4200 |
厚度和翘曲度测量系统 | |
可测材料 | 砷化镓 、氮化镓 、磷化 镓、锗、磷化铟、铌 酸 锂 、蓝宝石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等 |
测量范围 | 150μm~2000μm |
测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化) 、LTV 、BOW、WARP 、平面度、线粗糙度 |
三维显微形貌测量系统 | |
测量原理 | 白光干涉 |
测量视场 | 0.96mm×0.96mm |
可测样品反射率 | 0.05%~ 100% |
测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大 类300余种参数 |
系统规格 | |
晶圆尺寸 | 4" 、6" 、8" 、 12" |
晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
工作台负载 | ≤5kg |
外形尺寸 | 1500× 1500×2000mm |
总重量 | 约 2000kg |
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